探秘Cu互连：TaTa-N及TiTa-N双层薄膜阻挡性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

在现代科技飞速发展的浪潮中，半导体集成电路技术作为信息技术的核心支撑，始终保持着迅猛的发展态势。自半导体集成电路问世以来，其经历了小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）、超大规模（VLSI）和巨大规模（ULSI）等多个重要发展阶段。每一次的技术跨越，都以最小特征尺寸的显著缩小、硅片尺寸的稳步增加以及芯片集成度的大幅提升为鲜明标志，其中，特征尺寸的缩小更是成为推动技术进步的关键因素。正因如此，集成电路技术时代常以其所加工的特征尺寸来加以称谓。

随着集成电路技术朝着更小尺寸和更高性