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二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)因其独特的物理性质成为近年来材料科

学领域的研究热点。1T-MoTe?作为一种具有潜在拓扑物性的TMDCs材料，在

电子学、量子计算等领域展现出重要应用前景。然而，其本征性能的局限性促使

研究者通过元素掺杂实现性能调控。本研究聚焦稀土元素可控掺杂技术，旨在以

此突破1T-MoTe?本征物性限制，并拓展其在新型电子器件中的应用。

通过化学气相沉积(CVD)