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文件名称：激光清洗碳化硅涂层石墨基座技术研究.pdf
文件大小：5.41 MB
总页数：52 页
更新时间：2026-02-05
总字数：约5.4万字
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摘要

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金属有机化合物化学气相沉积法（MetalOrganicChemicalVaporDeposition，

MOCVDLEDGaN

）是在芯片制备过程中用于氮化镓（）薄膜外延生长的主要

方法。石墨基座是MOCVD设备中的核心零部件之一，直接决定薄膜材料的均

匀性和纯度。氨气是氮化镓基LED芯片的