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文件名称:基于隧穿氧化硅膜钝化的n型微晶硅薄膜生长研究.pdf
文件大小:3.65 MB
总页数:64 页
更新时间:2026-02-05
总字数:约9.84万字
文档摘要
摘要
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用掺杂氢化微晶硅(μc-Si:H)层代替传统的掺杂非晶硅层可提升硅异质结
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()太阳能电池的转换效率。而用热丝化学气相沉积()代替等离
子体增强化学气相沉积(PECVD)制备μc-Si:H薄膜可显著降低成本,但