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文件名称:西安半导体试题及答案.docx
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更新时间:2026-02-06
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西安半导体试题及答案

一、选择题(每题2分,共20分)

1.关于本征半导体的说法,正确的是()。

A.本征半导体中电子浓度等于空穴浓度

B.本征半导体的电导率与温度无关

C.本征半导体中不存在自由电子和空穴

D.本征半导体的禁带宽度随掺杂浓度增大而增大

2.在室温下,硅(Si)的禁带宽度约为()。

A.0.1eV

B.0.7eV

C.1.1eV

D.1.8eV

3.PN结正向偏置时,其空间电荷区会()。

A.变宽

B.变窄

C.不变