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文件名称:西安半导体试题及答案.docx
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更新时间:2026-02-06
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文档摘要
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西安半导体试题及答案
一、选择题(每题2分,共20分)
1.关于本征半导体的说法,正确的是()。
A.本征半导体中电子浓度等于空穴浓度
B.本征半导体的电导率与温度无关
C.本征半导体中不存在自由电子和空穴
D.本征半导体的禁带宽度随掺杂浓度增大而增大
2.在室温下,硅(Si)的禁带宽度约为()。
A.0.1eV
B.0.7eV
C.1.1eV
D.1.8eV
3.PN结正向偏置时,其空间电荷区会()。
A.变宽
B.变窄
C.不变