摘要

摘要

氮化镓高电子迁移率晶体管（GalliumNitrideHighElectronMobility

Transistors，GaNHEMTs）因其卓越的电子性能，在高功率电子器件中占据核心

地位。然而，随着功率和集成度的不断提升，GaNHEMTs近结区域的声子受到

非平衡热输运、异质界面和电热耦合等多重因素影响，导致通道温度升高、电流

崩塌和可靠性下降，严重