;传输延迟

反相器传播延时取决于

它分别通过PMOS和NMOS管充电和放电负载电容所需要的时间

使电容尽可能小是实现高性能CMOS电路的关键

;电容的非线性导致计算复杂

假设所有的电容一起集总成一个单个的电容CL

位于Vout和GND之间;在输出过渡的前半部，M1和M2不是断开就是处在饱和模式

Cgd12只包括M1和M2的覆盖电容，沟道电容不起作用（处于栅-体或栅-源之间）

集总电容模型要求用接地电容来代替浮空的栅漏电容（通过密勒效应实现）

一个在其两端经历大小相同但相位相反的电压摆幅的电容可以用一个两倍于该电容值的接地电容代替Cgd=2Cgd0W

;漏和体之间的电容来