基本信息
文件名称:基于分数阶微积分的荷控忆阻器模型构建与特性分析.docx
文件大小:39.7 KB
总页数:27 页
更新时间:2026-02-07
总字数:约3.59万字
文档摘要
基于分数阶微积分的荷控忆阻器模型构建与特性分析
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电路领域,忆阻器作为一种具有独特“记忆”特性的电路元件,自1971年被蔡绍棠从理论上预言存在后,便引发了学界和工业界的广泛关注。直到2008年,惠普实验室首次在物理层面成功制备出忆阻器,使其从理论设想迈向实际应用研究的舞台。忆阻器能够记住通过它的电荷量,其电阻值会依据流经的电荷量或磁通量发生相应变化,这种非易失性的记忆特性以及独特的非线性电学行为,使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。
在神经网络领域,忆阻器可模拟生物突触的功能,实现高效的神经形态计算,为构建更加智能、低功耗的神经网络硬件提供了新