Cr掺杂ZnO薄膜：制备工艺、结构特征与光学性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氧化锌（ZnO）薄膜凭借其独特的性能，成为了材料科学研究的焦点之一。ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，在室温下其禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远高于室温下晶格热动能（26meV）。这一特性使得ZnO薄膜在室温下就能够实现激子发射，为其在光电器件中的应用奠定了坚实基础。

从晶体结构来看，ZnO通常呈现六方纤锌矿结构，这种结构赋予了它许多优异的物理性质。例如，它具有较高的熔点，在制备过程中展现出良好的热稳定性；其机电耦合系数大，在压电、压