摘要

摘要

高丰度稀土的平衡利用是制约稀土产业高质量发展的关键因素，其中铈在

催化、能源、抛光等领域应用广泛、备受瞩目；在众多应用中，二氧化铈

(CeO)在大规模集成电路化学机械抛光(CMP)中的应用尤为突出。然而抛光过

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程复杂，常规手段难以表征抛光浆料中磨料颗粒的团聚分散及抛光过程中磨料

与工件之间的界表面相互作用。为此，本研究设计合成了具备核壳结构的CeO2

或Gd3+掺杂CeO包覆Si