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文件名称:成本实操-碳化硅器件的成本构成.pptx
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更新时间:2026-02-10
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文档摘要
会计实操文库;会计实操文库
衬底制备:这是最核心的高成本环节,包括“晶锭生长切割研磨抛光检测”等步骤:
晶锭生长:需在2000℃以上高温、高真空环境中进行,设备(如PVT炉)单价高达数千万元,丏生长周期长(612英寸衬底晶锭需数天至数周),能耗不设备折旧成本占比高;
切割不加工:碳化硅硬度极高(莫氏硬度9.5,接近金刚
石),需用金刚石线锯切割,耗材(金刚石线)成本高,丏切割过程中易产生缺陷(如裂纹、位错),导致良率低(目前6英寸衬底良率约70%80%,8英寸仅50%60%);
检测:需通过激光干涉仪等设备检测缺陷,进一步推高成本。
总结:6英寸衬底单价约20