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文件名称:ZnO透明导电薄膜:制备工艺与性能优化的深度剖析.docx
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更新时间:2026-02-11
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文档摘要

ZnO透明导电薄膜:制备工艺与性能优化的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域,透明导电薄膜作为一种关键材料,发挥着不可或缺的作用。它将材料的透明性与导电性巧妙结合,为众多光电器件的发展提供了坚实的基础。在众多透明导电薄膜材料中,氧化锌(ZnO)透明导电薄膜凭借其独特的优势,成为了研究的热点和焦点。

ZnO作为一种宽禁带II-VI族化合物半导体材料,具备诸多优异的本征特性。其禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV,这使得ZnO在蓝、紫外光电器件领域展现出巨大的应用潜力。通过掺入Ga、Al等IIIA族元素,ZnO薄膜的导电性能能够