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文件名称:硅基稀土氧化物半导体Eu?O?电致发光性能的深度剖析与应用探索.docx
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更新时间:2026-02-11
总字数:约2.73万字
文档摘要

硅基稀土氧化物半导体Eu?O?电致发光性能的深度剖析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与光电子技术飞速发展的进程中,稀土氧化物半导体作为一类极具特色和潜力的材料,正逐渐成为研究的焦点。稀土元素,包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)等17种元素,因其独特的4f电子层结构,赋予了稀土氧化物半导体在光学、电学、磁学等多方面优异且独特的性能。这些性能使得稀土氧化物半导体在众多领域展现出广阔的应用前景,从日常的电子显示设备,到高端的光通信、生物医学成像以及先进的能源存储与转换器件等,都离不开它们的身影。

氧化铕(Eu?O?)作为稀土氧化物半导体中的重要一员,凭借其独