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文件名称:隧穿磁电阻效应及其应用.doc
文件大小:1.09 MB
总页数:27 页
更新时间:2026-02-12
总字数:约1.74万字
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题目:隧穿磁电阻效应及其应用

Title:TunnelingMagnetoresistanceEffectanditsApplications

摘要

随着信息技术的不断发展,对存储器件的性能要求也水涨船高。虽然近年来固态硬盘(SSD)凭借着其速度优势逐渐普及,但是其容量短板还是需要机械硬盘(HDD)来弥补。要在不大的空间中存储越来越多的信息,这就对电子器件的尺寸有了新的要求。于是磁电阻效应因其同时具有理论研究和商业应用的价值而进入大家的视野,文章重点对磁性隧道结中的遂穿磁电阻效应(TMR效应)的理论原理及其应用作了总结。第一章简单介绍了磁性隧道结系统的研究意