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文件名称：基于深度学习的IGBT故障预测：模型构建与应用探索.docx
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总页数：28 页
更新时间：2026-02-13
总字数：约3.85万字
文档摘要

基于深度学习的IGBT故障预测：模型构建与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代工业和电力系统中，电力电子技术的应用日益广泛，从日常生活中的家电设备到工业生产中的大型电机驱动，从可再生能源发电到智能电网的构建，电力电子系统无处不在。绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）作为电力电子系统中的核心器件，扮演着至关重要的角色。它结合了双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）和金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTra