ZnO一维纳米结构的p型掺杂及同质结发光二极管：制备、特性与应用探索

一、引言

1.1ZnO一维纳米结构概述

ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。其独特的物理性质，如较大的激子束缚能（60meV）和宽带隙（室温下为3.37eV），使其成为实现室温下高效激子受激发光的理想材料，在紫蓝光发光二极管（LEDs）和激光器（LDs）等短波长光电器件的应用中前景广阔。

ZnO一维纳米结构，如纳米线、纳米带等，由于其量子约束效应，具备更加优异的光电特性。以ZnO纳米线为例，它是一种直径处于纳米级别，而长度可达微米甚至毫米级别的一