基于扫描隧道显微学的锰插层锗基石墨烯异质结微观特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，石墨烯自2004年被成功分离以来，凭借其独特的二维蜂窝状晶格结构，展现出诸多优异特性，如高载流子迁移率，可达15000cm2?v?1?s?1，是硅的10倍以上，这意味着基于石墨烯的电子器件具备更快的运算速度和更低的功耗；高热导率，可达5000W?m?1?K?1，使其在散热方面表现出色；高比表面积以及良好的机械强度等。这些特性使其在通信、半导体、军工、能源等领域展现出巨大的应用潜力，被视为具有替代硅成为下一代半导体材料的有力候选者。

然而，石墨烯在实际应用中仍面临一