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文档摘要

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稀土掺杂包埋纳米晶硅硅基薄膜光学性质的多维度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，随着互联网、大数据、人工智能等技术的飞速发展，对信息传输和处理的速度、容量及效率提出了更高要求，硅基光电集成技术应运而生，成为了研究热点。硅作为集成电路中应用最为广泛的材料，具有诸多优势，如稳定且成熟的制备工艺、优越的半导体特性等，这使得硅基材料在微电子领域占据主导地位。然而，硅是间接带隙半导体，其带间辐射复合效率极低，这一特性严重限制了硅在光发射器件中的应用，难以满足硅基光电集成中对高效光源的需求。

为解决硅基光电子集成电路中光发射器件的问题，科研人员进行了大量探索，其中稀土掺杂包埋纳米晶硅