上海交通大学《集成电路工艺技术基础类》

2023-2024学年第一学期期末试卷

一、单项选择题（共10小题，每小题2分，共20分）

1.以下哪种工艺用于在硅片表面形成高质量的二氧化硅绝缘层？（）

A.物理气相沉积（PVD）

B.热氧化

C.离子注入

D.湿法刻蚀

2.光刻工艺中，决定分辨率的核心参数是？（）

A.光刻胶厚度

B.曝光光源波长与光刻机数值孔径（NA）

C.显影时间

D.硅片清洗质量

3.离子注入相对于热