40纳米与28纳米工艺下集成电路良率模型的构建与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技迅猛发展的浪潮中，集成电路作为电子信息产业的核心基石，广泛渗透于各个领域，从人们日常生活中不可或缺的智能手机、电脑、智能家电，到关乎国家安全与发展的航空航天、国防军事、通信基站，集成电路的身影无处不在，成为推动科技创新、社会进步以及经济发展的关键力量。随着信息技术的飞速发展，人们对电子产品的性能、功耗、尺寸等方面提出了越来越高的要求，这也促使集成电路技术不断向更小的制程节点迈进。

40纳米和28纳米工艺作为集成电路制造中的关键制程技术，具有举足轻重的地位。40纳米工艺凭借其在成本、性能