稀土Dy、La、CeO?掺杂ZnO薄膜的制备工艺与特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，在现代科技领域中展现出巨大的应用潜力。其具有六方纤锌矿结构，在室温下禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV，这赋予了ZnO薄膜一系列优异的性能。在光学方面，ZnO薄膜在可见光范围内具有高达90%的透射率，使其成为制作透明导电电极的理想材料，广泛应用于触摸屏、太阳能电池和液晶显示器等领域，为实现这些器件的高透光性和良好导电性提供了关键支持。在电学性能上，ZnO薄膜拥有高电子迁移率和宽带隙，在场效应晶体管、传感器和光电探测器等电