石墨烯在六方氮化硼上的外延生长及超晶格结构特性与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯，作为一种由碳原子组成的二维材料，自2004年被成功剥离以来，凭借其独特的线性能量色散关系、高载流子迁移率（室温下可达15000cm^{2}/(V\cdots)）、高热导率（约5000W/(m\cdotK)）以及优异的力学性能，在凝聚态物理和材料科学等领域引发了广泛关注。然而，本征石墨烯是零带隙的半导体，这一特性在一定程度上限制了其在半导体器件，如场效应晶体管中的应用。如何有效调控石墨烯的能带结构，成为拓展其应用的关键问题之一。

六方氮化硼（h-BN），与石墨烯同属范德华晶体材料