SOI单晶硅压阻压力芯片电路设计原理分析

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TOC\o1-3\h\u27423SOI单晶硅压阻压力芯片电路设计原理分析 1

225781.1半导体压阻效应原理 1

103921.2桥式电路测量压力原理 3

80571.3单晶硅压阻压力传感器 4

单晶硅与多晶硅压力传感器相比，具有较高的灵敏度，且具有相同的纵向和横向灵敏因子，有利于设计优良的压阻电桥，保证传感器有最大的输出；应变电阻与衬底之间用SiO2介质层隔离，减小了漏电流，显著提高了传感器的工作温度范围；由于Si与SiO2之间的直接键合，接触面很匹配，没有其它过滤层，避免了附加应力的产生，提高了传