低电阻率金属纳米夹层赋能ZnO薄膜导电性的机理与应用研究

一、引言

1.1ZnO薄膜的研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，光电领域作为推动信息、能源、通信等诸多领域进步的关键力量，其重要性愈发凸显。在众多的光电材料中，ZnO薄膜以其独特的物理性质和优异的性能，成为了研究的焦点之一。ZnO是一种宽禁带II-VI族化合物半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这种特殊的能带结构赋予了ZnO薄膜一系列出色的性能，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。

在光电器件方面，ZnO薄膜有着广泛的应用。由于其具有良好的压电常数与机电耦合系数，可用作各种压