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半导体设备五年规划：光刻机与薄膜沉积技术模板

一、半导体设备五年规划：光刻机与薄膜沉积技术

1.1项目背景

1.2光刻机技术发展趋势

1.2.1极紫外光（EUV）光刻机技术将成为主流

1.2.2多光束光刻技术有望成为EUV光刻机的有力补充

1.2.3光刻机设备国产化进程加快

1.3薄膜沉积技术发展趋势

1.3.1原子层沉积（ALD）技术将成为薄膜沉积技术的主流

1.3.2金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术将继续在LED和光伏等领域发挥重要作用

1.3.3薄膜沉积设备国产化进程加速

1.4项目实施策略

1.4.1加强光刻机和薄膜沉积技术的基础研究

1.4.2推动光刻机