氮化镓单晶薄膜：制备工艺、特性分析与应用前景的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越非凡的性能，在现代半导体领域中占据着举足轻重的地位。氮化镓是一种由氮（N）和镓（Ga）组成的化合物半导体，其独特的晶体结构赋予了它诸多优异特性。从物理性质来看，氮化镓具备宽禁带宽度，在室温下可达3.4电子伏特（eV），这一数值远高于传统半导体材料硅（Si）的1.12eV。宽禁带特性使得氮化镓器件能够在高电压、高温以及高频等极端条件下稳定运行，极大地拓展了其应用范围。例如，在高功率电子器件中，氮化镓凭借其宽禁带优势，能够有效降低