基本信息
文件名称：半导体专题实验氧化层之成长与厚度量测.pptx
文件大小：860.72 KB
总页数：32 页
更新时间：2026-02-26
总字数：约小于1千字
文档摘要
半导体专题实验;以干氧与湿氧方式成长氧化层
量测其厚度
探讨氧化条件和厚度的关系;OxidationinSemiconductor;热成长氧化层的机制与模型;Introduction;热成长氧化层的机制与模型(I);热成长氧化层的机制与模型(II);热成长氧化层的机制与模型(III);热成长氧化层的机制与模型(IV);氧化层成长的方法及其应用;氧化层厚度与其颜色之关系;DRYWET;X2＋A*X＝B*（t＋τ）
X表示氧化层厚度
t表示反应时间
τ为成长到nativeoxide厚度所需之时间;Deal－Grove