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文件名称：半导体专题实验金属半导体场效晶体管之制作与量测.pptx
文件大小：1.17 MB
总页数：46 页
更新时间：2026-02-26
总字数：约4.51千字
文档摘要
半导体专题实验金属半导体场效晶体管之制作与量测
WhyMESFET?Highelectronmobility低电阻，高输出电流快速充放电荷数位高速元件Highsaturationvelocity高截止频率类比高频元件应用：GPS
MESFET的结构MESFET的Gate是将金属直接放在n-typeGaAs通道之上形成的。通道长度L、宽度W由Gate长度决定。为了降低Drain和Source接点的寄生电阻，两个接点是做在n+GaAs上。
WhatisMESFET?
操作原理MESFET的操作与JFET操