基本信息
文件名称:2026年半导体设备技术突破方向报告.docx
文件大小:33.58 KB
总页数:22 页
更新时间:2026-02-27
总字数:约1.28万字
文档摘要
2026年半导体设备技术突破方向报告
一、2026年半导体设备技术突破方向报告
1.高精度光刻设备
1.1研发更高分辨率的极紫外(EUV)光刻机
1.2突破光刻机关键部件制造技术
1.3提高光刻机的稳定性
2.刻蚀设备
2.1研发新型刻蚀工艺
2.2突破刻蚀设备关键部件制造技术
2.3提高刻蚀设备的稳定性
3.化学气相沉积(CVD)设备
3.1研发新型CVD工艺
3.2突破CVD设备关键部件制造技术
3.3提高CVD设备的稳定性
4.物理气相沉积(PVD)设备
4.1研发新型PVD工艺
4.2突破PVD设备关键部件制造技术
4.3提高PVD设备的稳定性
5.离