基本信息
文件名称:2026年半导体设备技术突破方向报告.docx
文件大小:33.58 KB
总页数:22 页
更新时间:2026-02-27
总字数:约1.28万字
文档摘要

2026年半导体设备技术突破方向报告

一、2026年半导体设备技术突破方向报告

1.高精度光刻设备

1.1研发更高分辨率的极紫外(EUV)光刻机

1.2突破光刻机关键部件制造技术

1.3提高光刻机的稳定性

2.刻蚀设备

2.1研发新型刻蚀工艺

2.2突破刻蚀设备关键部件制造技术

2.3提高刻蚀设备的稳定性

3.化学气相沉积(CVD)设备

3.1研发新型CVD工艺

3.2突破CVD设备关键部件制造技术

3.3提高CVD设备的稳定性

4.物理气相沉积(PVD)设备

4.1研发新型PVD工艺

4.2突破PVD设备关键部件制造技术

4.3提高PVD设备的稳定性

5.离