基本信息
文件名称：国产MOCVD设备的特点、性能和发展趋势.pdf
文件大小：10.21 MB
总页数：55 页
更新时间：2026-03-02
总字数：约2.7万字
文档摘要
提纲
一、前言
二、MOCVD设备的特点
三、用第一代MOCVD设备生长的GaN材料
、第二代MOCVD设备的设计要点
五、发展趋势
六、设备生产及相关问题
一、前言Liscas4
?MOCVD是GaAs、InP材料的核心生长技术，特别是GaN—
LED和LD的主流方法。
?随着《国家半导体照明工程》启动，研制国产化MOCVD设
备已迫在