氮化镓功率器件：技术、应用及未来展望;

氮化镓材料与器件简介

氮化镓功率器件技术

氮化镓功率器件应用

氮化镓功率器件未来展望

结束语;

01

氮化镓材料与器件简介;

材料特性;

·Ⅲ-V族化合物，宽禁带半导体

·Ga与N显著的电负性差异→极化

·易形成各类Ⅲ族(主要是AI、Ga、In)氮化物合金→High-Electron-MobilityTransistor;;

1952;

第三代半导体功率器件的典型应用场景;

02

氮化镓功率器件技术;

□传统Si功率器件普遍采用垂直结构，而GaN由于GaN衬底成本高昂的限制，主要采用

基于硅衬底的横向HEMT结构。;