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自旋电子学作为一个新兴领域，旨在利用电子自旋的自由度来控制和处理

信息。斯格明子因其独特的拓扑性质、纳米尺寸和低能耗操控特性，在未来的存

储器件中展现出巨大的潜力。斯格明子是一种特殊的自旋螺旋结构，能够在反演

对称性破缺的体系中稳定存在，并在外部场作用下表现出可调控的动态行为。本

论文的研究聚焦于二维多铁材料MoPtGeS体系中斯格明子的调控，探索在外磁