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文件名称：ZrTe3的热氧化诱导结构转变及其物性研究.pdf
文件大小：5.02 MB
总页数：71 页
更新时间：2026-03-04
总字数：约8.69万字
文档摘要

摘要

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碲烯(Tellurium)作为一种新型层状半导体材料，凭借其独特的物理性质在光

电子器件领域展现出重要应用潜力。其本征p型半导体特性、可调控带隙

(0.35~1.17eV)、高载流子迁移率及宽光谱光响应特性，使其成为高迁移率场效应

晶体管和高效光电探测器的理想材料。本研究基于三碲化锆(ZrTe)前驱体，通过