基于MonteCarlo方法的RIE工艺模拟：原理、应用与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体制造领域，随着芯片集成度的不断提高，对刻蚀工艺的精度和效率要求也日益严苛。反应离子刻蚀（ReactiveIonEtching，RIE）工艺作为一种关键的刻蚀技术，通过等离子体中的活性粒子与待刻蚀材料发生化学反应，同时借助物理轰击作用，实现对材料的精确去除，从而在半导体器件的制造中发挥着不可或缺的作用。它广泛应用于绝缘材料（如SiO?）的去除、栅极结构的制作、金属接触部分的刻蚀以及掩模图案的形成等关键环节，是构建精细电路结构、实现芯片高性能的基础工艺之一。

然而，RIE工艺涉及复