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在半导体产业中，集成电路制造业作为战略性支柱产业，其发展高度依赖关键

衬底材料的性能与加工精度。单晶硅作为核心衬底材料，随着芯片技术向高集成度、

小尺寸发展，对其超精密加工提出更高要求。如何在加工过程中精准控制材料去除

机理，同时有效抑制亚表面损伤，成为提升芯片性能与可靠性的关键。本文通过运

用理论研究、分子动力学模拟与实验验证的方法，研究单晶硅在磨削与化学机械抛

光（CMP）过程中的材料去除机理及亚表面损伤的演