摘要

摘要

作为第三代宽禁带半导体的典型代表，碳化硅(SiC)，因其优异的高温稳定性、

高击穿场强和抗辐照性能，在核能系统与极端环境电子器件领域展现出重要应用前

景。然而，辐照缺陷形成机制、电子传输各向异性调控以及掺杂体系应变响应规律

等关键科学问题尚不清晰，严重制约其性能优化。本论文围绕上述挑战展开系统性

研究，结合实验表征、第一性原理计算与形变势理论，揭示了应变场与掺杂位点对

4H-SiC结构与性能的协同调控机制，主