新型芳基类低介电常数材料的合成、表征与性能：探索与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，集成电路（IntegratedCircuit，IC）作为现代电子设备的核心，其性能的提升对于推动电子技术的发展起着至关重要的作用。自集成电路诞生以来，遵循着摩尔定律，芯片上的晶体管数量每18-24个月便会翻一番，器件尺寸不断缩小，集成度持续提高。随着IC技术朝着更小尺寸、更高性能和更低功耗的方向飞速发展，芯片中金属互连线的电阻（R）和绝缘介质层的电容（C）所形成的阻容（RC）延时、串扰以及功耗等问题，逐渐成为制约IC性能进一步提升的关键因素。

在传统的集成电路工艺中，