高功率SiC整流二极管电热可靠性的多维度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今电力电子技术飞速发展的时代，随着新能源、智能电网、轨道交通、电动汽车等领域对高功率、高效率、小型化电力转换系统需求的不断增长，传统硅基半导体器件由于其材料特性的限制，在面对高电压、高频率、高温等工作条件时，逐渐难以满足日益严苛的应用要求。碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其禁带宽度大、击穿电场强度高、电子饱和漂移速度快以及热导率高等显著优势，成为制造新一代高性能功率器件的理想材料，而SiC整流二极管作为SiC功率器件家族中的重要成员，在高功率应用中发挥着不可或缺的作用。

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