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二维GaN材料具有高的光吸收系数、优异的电子迁移率和增强的激子效应，

在光电和电子器件方面具有巨大的应用潜力，而金属-半导体结（MSJ）是二维

GaN基器件的基本组成部分，其源极、漏极（金属材料）与沟道层（半导体材料）

之间的肖特基势垒是限制其发展的关键因素之一。为了挑选出二维GaN基半导

体器件合适的接触金属以及对金属-半导体界面的肖特基势垒进行调控，本文采

用第一性原理的计算方法研究了GaN