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文档摘要

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基于掺杂调控的GaN纳米线光电性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电器件在现代社会中的应用日益广泛，从日常的照明、显示设备到高端的通信、传感技术，光电器件都扮演着不可或缺的角色。在众多用于光电器件的材料中，氮化镓（GaN）纳米线因其独特的物理性质和优异的性能，成为了研究的热点之一。

GaN是一种宽带隙半导体材料，具有高电子迁移率、高击穿电场、高热导率等优点，这些特性使得GaN在光电器件领域展现出巨大的潜力。与体材料相比，GaN纳米线由于其纳米级的尺寸，呈现出量子限制效应、表面效应等，进一步优化了其光电性能。例如，量子限制效应可以使电子和空穴的运动受到