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HfO2基铁电薄膜因其优异的互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetal-

Oxide-Semiconductor，CMOS）工艺兼容性和纳米尺度下稳定的铁电性，在高密

度逻辑器件与非易失性存储器等新型器件方面具有广阔的应用前景。要实现高性

能铁电器件，关键在于对HfO2中亚稳态正交相（铁电相）的精准调控及其铁电

性能的优化。与多晶薄膜相比，HfO2外延薄膜具有两大显著优势：其一，几乎不

存在唤醒效应（wake-upeffect）；其二，为探索萤石结构氧化物铁电性