基本信息

---

下载

文档摘要

---

摘要

氧化镓（Ga?O?）作为新一代超宽禁带半导体材料，在功率器件与深紫外光

电探测领域展现出巨大潜力。然而，传统外延技术（如MOCVD、MBE）因设备

复杂、成本高昂限制了其产业化应用。雾化化学气相沉积（Mist-CVD）作为一种

新兴的薄膜外延技术，以其低成本、生长源选择范围广等优势，在Ga?O?薄膜制

备领域展现出巨大的应用价值。现阶段国内Mist-CVD法制备Ga?O?仍处于外延

工艺的探索阶段，且该方法生长Ga?O?薄膜时存在反应腔体温度控制精度低、设

备系统稳定性差、自动化程度