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文档摘要

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极紫外掩模相位缺陷仿真：技术、影响与优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体制造领域，随着摩尔定律的不断推进，芯片制造工艺持续向更小的技术节点发展。极紫外光刻（EUVLithography）技术应运而生，成为实现7nm及以下技术节点芯片制造的关键技术，其以13.5nm的极短曝光波长，突破了传统光刻技术的分辨率限制，为芯片制造带来了新的突破。作为光刻过程中的关键元件，掩模如同芯片制造的模板，其质量直接决定了芯片制造的精度和良率。在极紫外光刻中，掩模的任何微小缺陷都可能在芯片制造过程中被放大，导致芯片性能下降甚至报废。

在极紫外光刻掩模中，相位缺陷是一种较为特殊且影响显著