ZnO基半导体材料：制备工艺、特性及多元应用的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料始终扮演着中流砥柱的角色，成为推动电子学、光电学等众多领域不断进步的核心力量。作为其中的杰出代表，ZnO基半导体材料凭借其独特而卓越的性能，在众多领域展现出了巨大的应用潜力和价值，吸引了全球科研人员和产业界的广泛关注。

ZnO是一种II-VI族化合物半导体材料，拥有六方纤锌矿结构，这种结构赋予了它许多独特的物理性质。在室温下，ZnO具有3.37eV的宽禁带宽度以及高达60meV的激子结合能，远高于其他常见宽禁带半导体材料，如GaN的激子结合能仅