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文件名称:年产30万颗车规级SiCMOSFET芯片制造项目可行性研究报告.docx
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总页数:84 页
更新时间:2026-03-13
总字数:约5.08万字
文档摘要
年产30万颗车规级SiCMOSFET芯片制造项目可行性研究报告
第一章总论
项目概要
项目名称
年产30万颗车规级SiCMOSFET芯片制造项目
建设单位
苏州芯能半导体科技有限公司于2023年6月在江苏省苏州市工业园区市场监督管理局注册成立,属有限责任公司,注册资本金5亿元人民币。核心经营范围包括半导体芯片制造、销售;集成电路设计、研发;半导体器件专用设备制造与技术服务(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。
建设性质
新建
建设地点
江苏省苏州工业园区半导体产业园区,该园区是国内半导体产业集聚度高、配套设施完善的核心区域,紧邻长三角交通枢纽,产业协同优势显著。
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