数据中心用10kV高压SiCMOSFET研发项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

项目名称：数据中心用10kV高压SiCMOSFET研发项目

建设单位：中芯微电科技（苏州）有限公司于2023年5月在江苏省苏州市工业园区市场监督管理局注册成立，属有限责任公司，注册资本金5000万元人民币。主要经营范围包括半导体器件研发、生产及销售；电力电子设备、集成电路设计、制造；电子元器件、工业自动化设备销售（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。

建设性质：新建

建设地点：江苏省苏州工业园区半导体产业园

投资估算及规模：本项目总投资估算为48600万元，其中一期工程投资30200万