《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardforRadiationHardeningDesignRequirementsofCMOSIntegratedCircuits

摘要

随着我国航天、国防等尖端科技领域的飞速发展，电子系统在强辐射环境（如太空、核爆等）下的可靠运行成为关键挑战。CMOS集成电路作为现代电子系统的核心，其抗辐射能力直接决定了整个系统的生存性与任务成功率。在此背景下，制定《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准具有重大的战略意义和紧迫的现实需求。本报