分子束外延法制备GaSb薄膜及超晶格结构的生长机制与物性研究.docx

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更新时间：2026-03-20

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文档摘要

分子束外延法制备GaSb薄膜及超晶格结构的生长机制与物性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，GaSb薄膜及其超晶格结构凭借其独特的物理性质和卓越的应用潜力，占据着举足轻重的地位。GaSb作为一种III-V族化合物半导体，属于闪锌矿结构的直接带隙材料，室温下禁带宽度为0.725eV，晶格常数为0.60959nm。这些本征特性使得GaSb在红外探测、高速电子器件、光电子集成电路以及新型能源技术等诸多前沿领域展现出巨大的应用价值。