基本信息
文件名称:ZnO基稀磁半导体电子结构与磁特性:基于第一性原理与蒙特卡洛模拟的探究.docx
文件大小:31.08 KB
总页数:21 页
更新时间:2026-03-20
总字数:约2.72万字
文档摘要
ZnO基稀磁半导体电子结构与磁特性:基于第一性原理与蒙特卡洛模拟的探究
一、绪论
1.1半导体自旋电子学概述
半导体自旋电子学是一门研究半导体材料中电子自旋属性及其应用的新兴交叉学科,其发展历程充满了探索与突破。20世纪80年代,随着纳米科学技术的兴起,科学家们逐渐意识到电子自旋在电子器件中的潜在应用价值,自旋电子学的概念应运而生。1988年,巴西学者Baibich在[Fe/Cr]周期性多层膜中发现了巨磁电阻(GMR)效应,当施加外磁场时,其电阻变化率高达50%,这一发现犹如一颗启明星,为自旋电子学的发展照亮了道路,成为该领域发展的重要里程碑,引发了科研人员对电子自旋相关