深度剖析GaN薄膜厚度效应与p型GaN欧姆接触的关键技术与应用

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其独特的物理性质和卓越的性能优势，在现代电子学领域占据了举足轻重的地位。自20世纪90年代以来，随着材料生长技术和器件制备工艺的不断突破，GaN材料及其相关器件的研究取得了迅猛发展，成为了学术界和工业界共同关注的焦点。

GaN材料具有宽禁带宽度（室温下约为3.4eV），这一特性使得GaN器件能够在高电压、高频率以及高温环境下稳定工作，为其在功率电子、射频通信、光电子等领域的应用奠定了坚实的基础。在功率电子